Новосибирские физики изобрели графеновую флешку

50daf694a269e9d53e2353561624c32e.jpg

Флеш-память действует по принципу впрыскивания электрического разряда в мультиграфен, который является запоминающей средой.

Как говорится в сообщении, такая флеш-память по быстродействию и времени хранения информации превосходит аналоги, основанные на других материалах.

Мультиграфен способен также дольше хранить заряд, а значит, и информацию, записанную на устройстве. В отличие от кремниевой флеш-карты графеновая способна работать в два-три раза быстрее.

Пока флеш-карта проходит различные исследования и не готова для массового производства. По предварительным подсчетам для производства подобных флеш-карт необходимо строительство современного завода стоимостью 5 млрд долларов, сообщил научный сотрудник института Юрий Новиков.

Читать далее

Просмотров:536 Комментариев:0

Дата публикации: 29 августа 2016 14:50

Источник

Комментарии

    Добавить комментарий

    Оставьте свой комментарий

    Читайте также